H5ANAG8NCMR-XNI vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCMR-XNI por SK hynix y H5ANAG8NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NCMR-XNI | H5ANAG8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,15 | $31,50 |
| Tipo de memoria | Volatile (DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Memory Format | DDR4 SDRAM | — |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | x8 | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Technology | CMOS DDR4 SDRAM | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Organización de memoria | — | x8 |
| Speed Grade / Data Rate | — | PBC suffix, DDR4-2666 class |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Prefetch | — | 8n |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, SSTL12 |
| CAS Latency (typical bin) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | BJR |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard quantity] |