H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63CFR-PBA Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix y H5TC4G63CFR-PBA por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63CFR-PBA
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $6,23
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.35V —
Velocidad de datos 1600 Mbps (PC3-12800) —
Encapsulado 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Temperatura de funcionamiento 0°C to 95°C (case) —
Latencia CAS Programmable (e.g., 11) —
Burst Length 8 and 4 —
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes Yes
Process Technology CMOS —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización