H5TC4G63AFR-H9A vs H5TC4G63AFR-PBR Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-H9A por SK hynix y H5TC4G63AFR-PBR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-PBR
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $5,91
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Velocidad de datos 1866 Mbps (PC3-14900) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Latencia CAS 13 11
Encapsulado 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C (TC) 0C to +95C
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8, 4 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes —
Self-Refresh Yes —
Auto-Refresh Yes —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant

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