H5TC4G63AFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix y H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63AFR-PBA | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,98 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| Interfaz | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tensión de alimentación | — | 1.35V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 95°C (case) |
| Latencia CAS | — | Programmable (e.g., 11) |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Process Technology | — | CMOS |