H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63CFR-PBL Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63MFR-PBA por SK hynix y H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Latencia CAS | — | 11, 12, 13 |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |