IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC100N10S5L054ATMA1 por Infineon y IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IAUC automotive family) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS value] —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 101 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 130 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5.4 mΩ —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C -55C to +175C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (surface mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 Trench MOSFET
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Recuento de pines — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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