IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUC60N10S5L110ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon y IAUC60N10S5L110ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S5L110TATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,08 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS™-5
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Encapsulado PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260°C peak reflow) 1 (per LCSC datasheet snippet)
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Estado RoHS Compliant —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 60 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 88 W
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 11 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 1.2 V
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: min/max operating temperature]
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs]
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant per LCSC listing)
Packing Code — ATMA1 (Tape & Reel)
Sin halógenos — Yes (per Infineon product classification)
Customer Info / FGR — J52 (per Infineon product data)

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