IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUZN10S7L289ATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUZN10S7L289ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 —
Technology Trench MOSFET (N-Channel) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 27 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) 45 W —
On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) 28.9 mΩ —
Encapsulado PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Grade AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Estado RoHS Compliant Compliant
Recuento de pines 8 —
RoHS Compliance Yes —
Series — Automotive OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

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