IPD031N06L3GATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon y IAUZ30N06S5L140ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD031N06L3GATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,96
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V 2.2 V (typ)
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
Nivel MSL 1 (Unlimited) —
Estado RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 33 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 14 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 12.2 nC @ VGS=10 V
Output Capacitance (Coss) — 888 pF @ VDS=30 V
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +175°C
Technology Family — OptiMOS 5
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage Max — ±20 V
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant)

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