IPD053N06NATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD053N06NATMA1 por Infineon y IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD053N06NATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 60V —
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 45 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 18 A —
On-State Resistance (RDS(on), max) 5.3 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet] —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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