IPD50R399CPATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50R399CPATMA1 por Infineon y BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50R399CPATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CP —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 500 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 9 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 83 W —
On-Resistance (R_DS(on), typ) 0.399 ohm —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS CP (superjunction) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Configuration Single —
Operating Mode Enhancement-mode —
Datasheet Series IPD50R399CP —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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