IPD60R360P7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon y IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R360P7SAUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 9 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) —
Power Dissipation (PD) at TC 41 W —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.0 V to 4.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Channel Type N-Channel —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Encapsulado — PG-TO263-3 (D2PAK)
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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