IPD65R380E6ATMA1 vs IPD038N06N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon y IPD038N06N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD65R380E6ATMA1 IPD038N06N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ E6 OptiMOS 60V
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.8 mΩ
Total Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
Sin halógenos — Yes
Lead-Free — Yes
Polarity — N-Channel

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