IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon y IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,62 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Technology | N-Channel Superjunction | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Disipación de potencia (Ptot) | 32 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55C to +150C | — |
| Encapsulado | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |