IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon y IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R1K4P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology N-Channel Superjunction Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Disipación de potencia (Ptot) 32 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C -55 C to +150 C
Encapsulado PG-TO252-2 (DPAK) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain/Tab, Source) —
Estado RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Lead-Free — Yes

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