IPD80R750P7ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R750P7ATMA1 por Infineon y IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R750P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Part Number IPD80R750P7ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS (Super-Junction) Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 7 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 750 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typical) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 51 W —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ) —
Gate Protection Integrated Zener (ESD protected) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Encapsulado — PG-TO263-3 (D2PAK)
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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