IPD90N04S403ATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD90N04S403ATMA1 por Infineon y IPD90N06S404ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD90N04S403ATMA1 IPD90N06S404ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Nivel MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101
Estado RoHS — Compliant (Green Product)
Polarity — Single N-Channel

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