IPG20N06S2L65AATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon y BSC027N06LS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Activo
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BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N06S2L65AATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS OptiMOS™ 5
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
Nivel MSL MSL1 (peak reflow 260 C) —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Recuento de pines — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

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