IPG20N10S4L22AATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N10S4L22AATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N10S4L22AATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $0,86
FET Type Dual N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 20 A —
On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 22 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 60 W —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Lead Configuration Wettable Flank —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS T2 OptiMOS 7 trench MOSFET
Temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Channel Count 2 (dual independent) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

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