IPW60R037P7XKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPW60R037P7XKSA1 por Infineon y IPP037N08N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPW60R037P7XKSA1 IPP037N08N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,55 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
Encapsulado PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) PG-TO220-3 (Through Hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.75 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 6 V, 10 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 214 W
Recuento de pines — 3
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

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