IQE018N06NM6SCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IQE018N06NM6SCATMA1 por Infineon y ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IQE018N06NM6SCATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,98 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 60 V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 178 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.8 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 125 W | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulado | PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |