IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD009N06NM5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IQE050N08NM5CGATMA1 por Infineon y IQD009N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQD009N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,75 | $0,96 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | 42 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | 445 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 333 W |
| Encapsulado | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS 5 (trench) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C to +175°C (TJ max) | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RDS(on) Maximum | — | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |