IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IQE220N15NM5CGSCATMA1 por Infineon y IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,18 | $1,85 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 120 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | — |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 6 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (junction) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55C to +175C |
| Recuento de pines | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |