IR2101STRPBF vs IRS21091STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2101STRPBF por Infineon y IRS21091STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2101STRPBF IRS21091STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,65
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge
Number of Drivers 2 2
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL CMOS or LSTTL, down to 3.3 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Encapsulado 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Nivel MSL MSL 3 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Driven Channels — High-Side and Low-Side, Synchronous
Gate Type — IGBT, N-Channel MOSFET
Output Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 750 ns
Deadtime Control — Programmable
Shutdown Pin — Yes
Packaging — Tape & Reel

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