IR2114SSTRPBF vs IR21834STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2114SSTRPBF por Infineon y IR21834STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2114SSTRPBF IR21834STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,84 $1,05
Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Driver Type High-side and Low-side Gate Driver —
Number of Drivers 2 2
Input Type Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) 11.5 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Channel Voltage 600 V (max) —
Peak Source Current 2 A (typical) 1.9 A
Peak Sink Current 3 A (typical) 2.3 A
Propagation Delay 440 ns (typical) 180 ns (typical)
Rise Time (typ) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: fall time] —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulado / Carcasa 24-SSOP (0.209, 5.30 mm Width) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Protection Features DESAT short-circuit detection, soft over-current shutdown —
FAULT/SD Logic 3.3 V-compatible CMOS, bidirectional —
Número de salidas — 2 (High Side / Low Side)
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
Encapsulado — 14-SOIC (3.90 mm width)

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