IR21271STRPBF vs IR2128STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21271STRPBF por Infineon y IR2128STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21271STRPBF IR2128STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,82 $0,86
Configuration High-Side or Low-Side High-Side, Low-Side Gate Driver
Número de salidas 1 —
Input Polarity Non-Inverting Inverting
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] —
Tiempo de bajada [DATA_NEEDED: fall time] —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Number of Drivers — 1
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 12 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.25 A
Sink Current (typ.) — 0.5 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS, LSTTL
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Over-Current Protection — Yes (current-sense comparator, fault output)
dv/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — 2
Fault Output — Open-drain, active-low
Bootstrap Pin — VB (with respect to VS)

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