IR2127STRPBF vs IRS2453DSTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2127STRPBF por Infineon y IRS2453DSTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2127STRPBF IRS2453DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $0,86
Configuration High-Side —
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting —
Número de salidas 1 —
Tiempo de subida 80 ns (typical) —
Tiempo de bajada 60 ns (typical) —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm body) 14-SOIC (0.154", 3.90 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Función — Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator
Driver Configuration — High-side and low-side (full-bridge)
Number of Drivers — 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs)
Gate Drive Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Input Voltage (VB offset) — 600 V (high-side offset rating)
Source Current (typ.) — 0.18 A
Sink Current (typ.) — 0.26 A
Oscillator Type — RC, CMOS 555-style front-end
Bootstrap FET — Integrated
Shutdown Pin — Yes
Input Circuit — RC Input Circuit
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS — Compliant (Pb-free per suffix "PBF")
Technology — HVIC and latch-immune CMOS

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