IR21531STRPBF vs IRS2153DSPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21531STRPBF por Infineon y IRS2153DSPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21531STRPBF IRS2153DSPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,70 $0,98
Configuration Half-Bridge High-side + low-side driver, half-bridge
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Número de salidas 2 (high-side, low-side) 2 (HO, LO)
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Tiempo de subida 80 ns —
Tiempo de bajada 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Estado RoHS Compliant (ROHS3) —
Función — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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