IRF4905LPBF vs IRF4905STRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF4905LPBF por Infineon y IRF4905STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF4905LPBF IRF4905STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,98 $0,95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
Encapsulado TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin D2PAK (TO-263)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -260 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Nivel MSL — 1
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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