IRF7832TRPBF vs IRLR3410TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7832TRPBF por Infineon y IRLR3410TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7832TRPBF IRLR3410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (TJ) -55C to +175C (junction)
Encapsulado 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

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