IRFH7440TRPBF vs BSC019N04LSTATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH7440TRPBF por Infineon y BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH7440TRPBF BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,21
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Encapsulado 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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