IRFR2405TRLPBF vs IRFR3607TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR2405TRLPBF por Infineon y IRFR3607TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR2405TRLPBF IRFR3607TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,39
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

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