IRFR2405TRPBF vs IRFR1205TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR2405TRPBF por Infineon y IRFR1205TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR2405TRPBF IRFR1205TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 43.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant (PBF suffix = lead-free)
Sin halógenos [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

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