IRFR3806TRPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR3806TRPBF por Infineon y IRFZ48NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR3806TRPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $1,18
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 54 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Encapsulado / Carcasa TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
FET Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Encapsulado — D2PAK (TO-263) Surface Mount
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Estado RoHS — Compliant
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización