IRLB4030PBF vs IRLB8748PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLB4030PBF por Infineon y IRLB8748PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLB4030PBF IRLB8748PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $0,68
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm 4.8 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC 15 nC typical
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] —
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Encapsulado TO-220AB —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (StrongIRFET family) —
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 92 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Package Type — TO-220AB through-hole
Technology Family — StrongIRFET / HEXFET
Channel Type — N-Channel
Logic-Level Gate Drive — Yes (optimized for 5V VGS)
Qualification Standard — JEDEC (Industrial market per datasheet)

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