IRS2106STRPBF vs IR2109SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2106STRPBF por Infineon y IR2109SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2106STRPBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,05
Driver Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Número de salidas 2 —
Logic Type Non-Inverting —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) Up to 25 V —
Source Current (IO+) 0.29 A (typical) —
Sink Current (IO-) 0.6 A (typical) —
Turn-On Propagation Delay (ton) 200 ns (typical) —
Turn-Off Propagation Delay (toff) 200 ns (typical) —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: fall time] —
Deadtime 50 ns (typical, internal matching) —
Shutdown Input (SD) Yes (active-low, single pin) —
UVLO (VCC and VBS) Yes —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm width) SOIC-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 2 —
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tiempo de subida — 200 ns
Tiempo de bajada — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

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