IRS2302SPBF vs IR2011SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2302SPBF por Infineon y IR2011SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2302SPBF IR2011SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $1,18
Configuration Half-Bridge (High Side and Low Side, Independent) High-Side and Low-Side, Inverting
Número de salidas 2 (High Side + Low Side) 2
Peak Source Output Current 200 mA —
Peak Sink Output Current 350 mA —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 5 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 5 V to 20 V (referenced to VS) —
Floating Channel Offset Voltage (VS) -50 V to +600 V (transient tolerant) —
Propagation Delay (typ.) 220 ns —
Rise Time (typ.) 130 ns —
Fall Time (typ.) 50 ns —
Input Logic Compatibility CMOS (3.3 V and 5 V tolerant) CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
Logic Type Non-Inverting —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C -40 C to +125 C
Encapsulado 8-SOIC (SOIC-8N, 3.90 mm width) 8-SOIC (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (on VS pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

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