IRS2302SPBF vs IR2011STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2302SPBF por Infineon y IR2011STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2302SPBF IR2011STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $0,71
Configuration Half-Bridge (High Side and Low Side, Independent) High-Side and Low-Side (Independent)
Número de salidas 2 (High Side + Low Side) —
Peak Source Output Current 200 mA —
Peak Sink Output Current 350 mA —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 5 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) 5 V to 20 V (referenced to VS) 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Floating Channel Offset Voltage (VS) -50 V to +600 V (transient tolerant) —
Propagation Delay (typ.) 220 ns 80 ns
Rise Time (typ.) 130 ns —
Fall Time (typ.) 50 ns —
Input Logic Compatibility CMOS (3.3 V and 5 V tolerant) —
Logic Type Non-Inverting —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado 8-SOIC (SOIC-8N, 3.90 mm width) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

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