ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC078N12NM6ATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC078N12NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Encapsulado SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Recuento de pines 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 —
Lead-Free Yes —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Número de pines — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C

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