ISC0805NLSATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC0805NLSATMA1 por Infineon y BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC0805NLSATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
Encapsulado PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55C to +175C
Estado RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Nivel MSL — 1 (unlimited)

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