ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon y ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ033N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Encapsulado PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización