K3KL8L80CM-MGCT vs K3K8K80BM-MGCP Comparación
Comparación detallada lado a lado de K3KL8L80CM-MGCT por Samsung Electronics y K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K3KL8L80CM-MGCT | K3K8K80BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Density | 32 Gbit (4 GB) | 64 Gb |
| Organización de memoria | x32 | 2G x 32 |
| Max Data Rate | 7500 Mbps | — |
| Clock Frequency | 3750 MHz | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 900 mV (500 mV low-power mode) | — |
| VDD2 Supply Voltage | 1.8 V | — |
| Encapsulado | 315-ball FBGA | FBGA-315 (PBGA315) |
| Temperatura de funcionamiento | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) | LPDDR5 (CMOS) |
| Application Segment | Mobile, Automotive, On-device AI, PC | — |
| Power Efficiency | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) | — |
| Estado RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Velocidad de datos | — | 6400 Mbps |
| Supply Voltages | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology | — | CMOS |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |
| Lead Free | — | Yes |
| Application Class | — | Specialized ICs / Memory |
| I/O Width | — | 32-bit |