K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCRC Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G045WB-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,95 $6,80
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 2G x 4 1G x 8
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Interfaz CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Temperatura de funcionamiento 0 C to 85 C 0°C to 85°C
Encapsulado 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Tipo de montaje Surface Mount —
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Estado RoHS Compliant —
Velocidad de datos — 2400 Mbps
Tensión de alimentación — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

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