K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BPH90 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BYH90 por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BPH90 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,80 | $7,60 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 32M x 16 |
| Velocidad de datos | 2133 Mbps/pin | 2133 Mb/s per pin |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V (DDR3L) |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | Programmable up to 14 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |