K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VP-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $44,55 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 5600 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Interfaz | DDR5 (parallel) | Parallel |
| Encapsulado | FBGA-82 | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | DRAM DDR5 |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Temperatura de funcionamiento | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Estado RoHS | Compliant | unknown |
| Estado del ciclo de vida | Active | Active |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |