K4RHE086VP vs K4RHE086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE086VP por Samsung Electronics y K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE086VP | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DDR5 | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,90 | $7,65 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 24 Gb |
| Organización de memoria | x8 | 2G x 8 |
| Process Node | 1a-class (D1a) | — |
| Package Type | FBGA | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tipo de interfaz | DDR5 (double data rate 5) | — |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD in V] | — |
| On-Die ECC | Yes (DDR5 standard feature) | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: temperature range] | — |
| Marca | Samsung Electronics | — |
| Product Family | Samsung K4RHE DDR5 series | — |
| Typical Application | Server / client DRAM modules | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Velocidad de datos | — | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Encapsulado | — | 82 FBGA |
| Interfaz | — | DDR5 (JEDEC) |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |