K4RHE165VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RBH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ ActivoSamsung Electronics
K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung
K4RBH086VB-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE165VB-BCWM | K4RBH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb (3 GB) | 16 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulado | 106 FBGA | 82-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0 to 85 C | 0 C to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| Interfaz | DDR5 (parallel, DDR) | Parallel, DDR5 |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Technology | — | DDR5 SDRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| On-Die ECC | — | Yes (per JEDEC DDR5 specification) |