K9HUGY8J5B-CCK0 vs K9LUGY8J7D-CCK0 Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9HUGY8J5B-CCK0 por Samsung Electronics y K9LUGY8J7D-CCK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 ✓ Activo
Samsung Electronics
K9LUGY8J7D-CCK0 K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K9HUGY8J5B-CCK0 K9LUGY8J7D-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,60 $0,00
Tipo de memoria 3D V-NAND TLC Flash NAND Flash (V-NAND)
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Density [DATA_NEEDED: density] [DATA_NEEDED: total density (bits)]
Organización de memoria [DATA_NEEDED: organization] —
Tipo de interfaz [DATA_NEEDED: interface type] —
Tensión de alimentación [DATA_NEEDED: supply voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage (V)]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Package Type [DATA_NEEDED: package type] —
Recuento de pines [DATA_NEEDED: pin count] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: temperature range (C)]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Cell Type — TLC (Triple-Level Cell)
Technology — V-NAND (vertical NAND)
Encapsulado — BGA (surface mount)
Interfaz — [DATA_NEEDED: interface type / toggle DDR mode]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention]
Speed Grade Code — CCK0 (per Samsung part-number convention)

Hojas de datos y recursos

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