M29F200FT55N3E2 vs M29F200FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F200FT55N3E2 por Micron Technology y M29F200FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memoria NOR Flash NOR Flash, Parallel
Memory Organization 256K x 8 / 128K x 16 —
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Interfaz Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V —
Number of Words 128 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Top boot block —
Program / Erase Embedded program/erase controller —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 48-TSOP I 48-pin TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bus Mode Byte (x8) / Word (x16) selectable —
Organización de memoria — 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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