M29F400FT55N3F2 vs M29F400FB55M3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F400FT55N3F2 por Micron Technology y M29F400FB55M3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Activo
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Comparación de especificaciones

Parámetro M29F400FT55N3F2 M29F400FB55M3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría EEPROM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,51 $1,72
Tipo de memoria NOR Flash (SLC) NOR Flash, Parallel
Tamaño de memoria 4 Mbit —
Organización de memoria 256K x 16 512K x 8 / 256K x 16
Interfaz Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V —
Block Architecture Top boot block —
Encapsulado 44-SO (SOP-44) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) —
Compliance Suffix F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) —
Programming Voltage Single supply (no 12 V VPP required) —
Technology Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase —
Max Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: min operating temperature] -40C to +125C
Density — 4194 kbits (4 Mbit)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Bottom boot block
Grade — Automotive (Auto Grade, 125C)
Package Type — 44-pin SO (SOP), wide body
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Packaging — Tape and Reel (TR)
Estado RoHS — RoHS-compliant package (F2 suffix)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (selectable)
Número de pines — 44

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